세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식 > 포토

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이창양 산업통상자원부 장관이 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 참석자들과 기념촬영을 하고 있다. 이날 행사는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고, 세계 최초로 GAA구조의 3나노 공정이 적용된 반도체 양산 성공을 기념하기 위해 열렸다.,25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 양산 반도체 차량 적재 퍼포먼스가 진행되고 있다.,이창양 산업통상자원부 장관이 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 축사를 하고 있다.,이창양 산업통상자원부 장관이 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 축사를 하고 있다.,이창양 산업통상자원부 장관이 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 축사를 하고 있다.,이창양 산업통상자원부 장관이 25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식’에서 경계현 삼성전자 사장, 최시영 삼성전자 사업부장과 함께 기념촬영을 하고 있다. 이날 행사는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고, 세계 최초로 GAA구조의 3나노 공정이 적용된 반도체 양산 성공을 기념하기 위해 열렸다.